台积电公布3nm技术细节,2.5亿晶体管/mm2 能耗性能大提升 首页 › 论坛 › 半导体行业 › 行业资讯 › 台积电公布3nm技术细节,2.5亿晶体管/mm2 能耗性能大提升 标签: 3nm, 5nm, 三星, 台积电, 晶圆代工, 英特尔 该话题包含 0个回复,1 人参与,最后由芯片 百科 更新于 3年、 7月前 。 正在查看 1 个帖子:1-1 (共 1 个帖子) 作者 帖子 20 5 月, 2021 5:54 上午 #3142 回复 芯片 百科管理员 在台积电第26届技术研讨会上,台积电揭秘其3nm工艺节点的更多细节,并分享了5nm后续产品N5P和N4工艺节点的相关进展。 台积电在先进制程领先的道路上一往无前,计划3nm技术于2021年进入风险生产、在2022年开始量产,而英特尔的7nm预计最早推出也要到2022年末。 据介绍,相较5nm N5工[更多内容: 台积电公布3nm技术细节,2.5亿晶体管/mm2 能耗性能大提升] 作者 帖子 正在查看 1 个帖子:1-1 (共 1 个帖子) 回复至:台积电公布3nm技术细节,2.5亿晶体管/mm2 能耗性能大提升 您的信息: 名称(必填): 电子邮箱地址(不会被公开)(必填): 网站: 提交